硅的还原量与温度和SiO₂的活度成正比；而增大[Si]的活度系数或CO气体的分压，都会使[Si]%下降。

根据高炉内硅还原的机理，降低生铁含硅的途径是：首先是降低软熔带位置、缩小熔滴带高度；其次降低风口前燃烧温度，直接减少SiO的发生量；三是应减少入炉的SiO2量，降低炉渣中SiO2的活度。

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硅的还原顺序是SiO2→SiO→Si。

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硅的还原从滴落带开始，还原的途径有三种：渣铁反应、渣焦反应、气相SiO2还原，其中（）是硅还原的主要途径。

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硅的还原是按（）→（）→（）的顺序逐级进行的。

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减少高炉内硅的还原措施有（）。

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减少高炉内硅的还原措施有（）。

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炉顶压力提高不利于炉内硅的还原，对（）有利。

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铁中的Si是从炉渣中SiO2和焦碳灰分中的SiO2还原出来的。

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硅的还原是在高炉的（）或（）上部才开始，达到（）水平面时达到最高，此时铁中含硅量是终铁含硅量的（）倍。

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