二氧化硅薄膜厚度的测量方法有（）。

下列几种氧化方法相比，哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些（）。

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二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）学性质的重要参数。

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（）是以物理的方法来进行薄膜沉积的一种技术。

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刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。

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解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。

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刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。

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采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。

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采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。

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二氧化硅膜的质量要求有（）。

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