二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）学性质的重要参数。

二氧化硅薄膜厚度的测量方法有（）。

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下列几种氧化方法相比，哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些（）。

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表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度，习惯上常用（）。

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由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

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铜与铝相比较，其性质有（）。

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薄膜沉积的机构包括那些步骤（）。

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（）主要是以化学反应方式来进行薄膜沉积的。

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（）是以物理的方法来进行薄膜沉积的一种技术。

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（）是通过把被蒸物体加热，利用被蒸物在高温时的饱和蒸汽压来进行薄膜沉积的。

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