A形成晶核
B晶粒自旋
C晶粒凝结
D缝道填补
薄膜沉积的机构包括那些步骤()。
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()主要是以化学反应方式来进行薄膜沉积的。
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()是以物理的方法来进行薄膜沉积的一种技术。
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()是通过把被蒸物体加热,利用被蒸物在高温时的饱和蒸汽压来进行薄膜沉积的。
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刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被()覆盖及保护的部分,以化学作用或是物理作用的方式加以去除,以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。
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硅晶片上之所以可以产生薄膜,出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子,它们主要是通过()到达晶片表面的。
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二氧化硅薄膜厚度的测量方法有()。
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按曝光的光源分类,曝光可以分为()。
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()专指薄膜形成的过程中,并不消耗晶片或底材的材质。
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