多选题
A形成晶核
B晶粒成长
C晶粒凝结
D缝道填补
E沉积膜成长
正确答案
答案解析
略
相似试题
薄膜沉积的机构，依发生的顺序，可以分为这几个步骤。其中不包括（）。
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（）主要是以化学反应方式来进行薄膜沉积的。
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（）是以物理的方法来进行薄膜沉积的一种技术。
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（）是通过把被蒸物体加热，利用被蒸物在高温时的饱和蒸汽压来进行薄膜沉积的。
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刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。
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二氧化硅薄膜厚度的测量方法有（）。
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下面哪一种薄膜工艺中底材会被消耗（）。
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（）专指薄膜形成的过程中，并不消耗晶片或底材的材质。
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二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）学性质的重要参数。
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