光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。
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超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。
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在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。
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在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。
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在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。
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在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。
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在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。
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光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。
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有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。
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