A涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶
B涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶
C涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶
D前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶
光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（）。
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超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。
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光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。
在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。
光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。
有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。
在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。
在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。
用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。
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