在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。

在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。

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在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。

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在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。

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扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。

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通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个步骤是（）。

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扩散工艺现在广泛应用于制作（）。

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固体中的扩散模型主要有填隙机制和（）。

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菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积溶质（）。

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扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。

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