多选题

光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。

A红外线辐射

BX射线照射

C加热

D紫外光辐射

E电子束扫描

略

相似试题

有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。
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刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。
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光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。
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光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（）。
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在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。
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光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。
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超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。
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在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。
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在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。
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集成电路制造工艺员