硅外延片的应用包括（）。

硅外延生长工艺包括（）。

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下图为硅外延生长速度对H2中SiCL4摩尔分量的函数曲线，试分析曲线走势，并给出其变化的原因。

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什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的问题？

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外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。

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影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些？

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延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。

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简述外延薄膜的生长过程，其最显著的特征是什么？

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液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产生过饱和结晶。（）

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叙述H2还原SiCl4外延的原理，写出化学方程式。

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