延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。
填空题查看答案
外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
填空题查看答案
影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些？
简答题查看答案
简述外延薄膜的生长过程，其最显著的特征是什么？
简答题查看答案
下图为硅外延生长速度对H2中SiCL4摩尔分量的函数曲线，试分析曲线走势，并给出其变化的原因。
简答题查看答案
什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的问题？
简答题查看答案
硅外延生长工艺包括（）。
多选题查看答案
硅外延片的应用包括（）。
多选题查看答案
液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产生过饱和结晶。（）
判断题查看答案