二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。

最常用的金属膜制备方法有（）加热蒸发、（）蒸发、（）。

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厚膜混合集成电路的基片种类很多，目前常用的有：氧化铝陶瓷，（），氮化铝（A1N）陶瓷。

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简述几种常用的氧化方法及其特点。

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物理气相淀积最基本的两种方法是什么？简述这两种方法制备薄膜的过程。

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在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层，分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？（）

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简述常规热氧化办法制备SiO2介质薄膜的动力学过程，并说明在什么情况下氧化过程由反应控制或扩散控制。

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有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？

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外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。

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腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）

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