由表面蚀刻结构所形成的（）的提高，是高效率所不可缺少的。

晶体硅片蚀刻清洗的生产工艺有酸性蚀刻和碱性蚀刻两种，其中酸性蚀刻是采用（）和硝酸的混合溶液，醋酸和磷酸当缓冲剂，一般去除约10-20μm厚的表面层。

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多晶硅表面的结晶面是多重的，因此不能像单晶硅基片那样，使用（）的不同方向腐蚀的化学蚀刻方法。

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如图所示，为P型半导体MIS结构形成的能带图。 判断其表面空间电荷层的状态（多子积累、少子耗尽、少子反型）

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侧蚀程度的大小与蚀刻液的种类、组成和所使用的蚀刻工艺及设备有关。

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在同质结结构中，为了得到20%以上的高效率，必须让结合深度在（）以下的浅层处，因此在异质表面结构中，通入插入宽禁带宽度的窗层，增加结合深度高定的自由度，就可以实现高效率。

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电池高效率化技术说明已被规模生产所采用的（）及BSF结构。

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印制电路板中的图形蚀刻是指用化学溶液去掉铜箔而得到所需的电路图形的过程。

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极坐标型机器人运动所形成的轨迹表面是半球面。

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在用酸碱性氯化铜蚀刻若形成氯化亚铜沉淀，有何不利因素。

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