扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
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有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。
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离子注入法有哪些优点？
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电容式、扩散硅式、电感式、振弦式差压变送器与矢量机构式差压变送器相比有什么优点？
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实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。
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与常压蒸发相比，减压（真空）蒸发有哪些优点？有哪些缺点？
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与铸铁相比，铸钢有哪些优点？
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虚拟仪器与传统仪器相比有哪些优点？
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与圆柱配合相比，圆锥配合有哪些优点？
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