有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。
判断题查看答案
实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。
判断题查看答案
离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。
判断题查看答案
离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。
判断题查看答案
对于掺杂的硅材料，其电阻率与掺杂浓度和温度的关系如图所示，其中，AB段电阻率随温度升高而下降的原因是（）
单选题查看答案
室温下，本征锗的电阻率为47Ω·cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每106个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×1022cm-3，试求该掺杂锗材料的电阻率。设μn=3600cm2/V·s， 且认为不随掺杂而变化。ni=2.5×1013cm3。
简答题查看答案
掺杂的杂质和沾污的杂质是一样的效果。
判断题查看答案
热扩散掺杂的工艺可以一步实现。
判断题查看答案
在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。
判断题查看答案