在杂质半导体中，少子浓度主要取决于（）

在P型半导体中空穴是多子，（）是少子。

填空题查看答案

在杂质半导体中，杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。

判断题查看答案

杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。

填空题查看答案

P型半导体MIS结构中发生少子反型时，表面的导电类型与体材料的类型（）。在如图所示MIS结构的C-V特性图中，代表去强反型的（）。

多选题查看答案

对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与（）有关，而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于（）的大小。

填空题查看答案

在本征半导体中进行有意掺杂各种元素，可改变材料的电学性能。请解释什么是浅能级杂质、深能级杂质，它们分别影响半导体哪些主要性质；什么是杂质补偿？杂质补偿的意义何在？

简答题查看答案

如图所示，为P型半导体MIS结构形成的能带图。 判断其表面空间电荷层的状态（多子积累、少子耗尽、少子反型）

简答题查看答案

在N型半导体中，掺入（）价杂质元素。

填空题查看答案

在P型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。

填空题查看答案