晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术，一次掺杂成功。

由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。

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CD越小，源漏结的掺杂区越深。

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侧墙用来环绕多晶硅栅，防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。

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什么是自对准技术？

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标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。

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下列晶体中占优势的缺陷有哪些？ （1）用MgCl2掺杂的NaCl； （2）用Y2O3掺杂的ZrO2； （3）用YF3掺杂的CaF2； （4）用As掺杂的Si； （5）在一种还原气氛中加热过的WO3。

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简述倒掺杂阱技术的步骤。

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实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。

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试画出一高频功率放大器的实际线路。要求： （1）采用NPN型晶体管，发射极直接接地； （2）集电极用并联馈电，与振荡回路抽头连接； （3）基极用串联馈电，自偏压，与前级互感耦合。

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