简答题

简述倒掺杂阱技术的步骤。

正确答案

连续三次离子注入
①第一次高能量(>200KEV)、深结(~1.0μm)倒掺杂注入,以减小CMOS器件的闭锁效应;
②第二次中能量注入,以保证源漏击穿电压;
③第三次小剂量注入,以调整阈值电压。

答案解析

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