离子注入是借其()强行进入靶材料中的一个()物理过程。
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离子注入层的深度主要取决于离子注入的()。
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离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。
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离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是()和()。
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什么是离子注入中常发生的沟道效应(Channeling)和临界角?怎样避免沟道效应?
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什么是离子注入的横向效应?同等能量注入时,As和B哪种横向效应更大?为什么?
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下图为硅外延生长速度对H2中SiCL4摩尔分量的函数曲线,试分析曲线走势,并给出其变化的原因。
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半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂()加速到的需要的(),直接注入到半导体晶片中,并经适当温度的()。
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下图为直流等离子放电的I-V曲线,请分别写出a-g各段的名称。可用作半导体制造工艺中离子轰击的是其中哪一段?试解释其工作原理。
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