半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。

迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）

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什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？

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假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。

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离子注入是借其（）强行进入靶材料中的一个（）物理过程。

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值称为共发射极电流放大系数，是晶体管的一个重要参数，也是检验晶体管经过硼、砷掺杂后的两个pn结质量优劣的重要标志。（）

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离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。

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离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。

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离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（）和（）。

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什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling）和临界角？怎样避免沟道效应？

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