室温时半导体种的电子和空穴始终在进行着无规则的热运动。
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在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称()效应;入射光强改变物质导电率的现象称()效应;半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称()效应。
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光生伏特效应是指当半导体PN结受光照射时,光子在()激发出电子-空穴对,在自建电场的作用下,电子流向N区,空穴流向P区,使P区和N区两端产生电位差,P端为正,N端为负
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同种半导体材料在相同温度下电子的迁移率比空穴的迁移率小。
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在光线作用下,半导体的电导率增加的现象属于()。
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在电场力的作用下()在导体中流动时,所受到的()称为电阻。
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P型半导体中的空穴数目多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为()
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霍尔效应是导体中的载流子在磁场中受()作用产生()的结果。
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对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与()有关,而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于()的大小。
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