同种半导体材料在相同温度下电子的迁移率比空穴的迁移率小。

对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与（）有关，而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于（）的大小。

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Si、GaAs、InP三种基本半导体材料中，电子迁移率最高的是哪种？最低的是哪种？

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在相同的条件下，下列工件材料在切削加工中，（）在切削区域产生的温度最低。

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在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称（）效应；入射光强改变物质导电率的现象称（）效应；半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称（）效应。

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制作霍尔元件应采用的材料是半导体材料，因为半导体材料能使截流子的迁移率与电阻率的乘积最大，而使两个端面出现（）差最大。

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在磁感应强度一定的情况下，电子迁移率越低，磁阻效应越明显。

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制作霍尔元件应采用的材料是（），因为半导体材料能使截流子的迁移率与电阻率的乘积最大，而使两个端面出现电势差最大。

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电介质中的迁移电子或离子在电场下移动，积聚在电极附近的介质界面上，形成空间电荷，称为（）

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制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片，称为硅片或（）。在硅片制造厂，由硅片生产的半导体产品，又被称为（）或（）。

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