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略
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现有三个半导体硅样品，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为p01=2.25×1015/cm3，p02=1.5×1010/cm3，p03=2.25×104/cm3 （1）分别计算这三个样品的电子浓度 （2）判别这三个样品的导电类型 （3）计算这三个样品的费米能级的位置
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计算含有施主杂质浓度为ND=9×1015cm-3，及受主杂质浓度为1.1×1016cm3，的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
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77K时，锗的电子浓度为1017cm-3，假定受主浓度为零，而Ec-ED=0.01eV，求锗中施主浓度ND为多少？
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现有三块半导体硅材料，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为：p01=2.25×1016cm-3，p02=1.5×1010cm-3，p03=2.25×104cm-3
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现有三块半导体硅材料，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为：p01=2.25×1016cm-3，p02=1.5×1010cm-3，p03=2.25×104cm-3
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现有三块半导体硅材料，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为：p01=2.25×1016cm-3，p02=1.5×1010cm-3，p03=2.25×104cm-3
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Si样品中的施主浓度为4.5×1016cm-3，试计算300K时的电子浓度和空穴浓度各为多少？
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现有三块半导体硅材料，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为：p01=2.25×1016cm-3，p02=1.5×1010cm-3，p03=2.25×104cm-3
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在掺入硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟，在室温下电阻率为2.84Ω˙cm，已知所掺硼的浓度Na1=101610/cm3，硼的电离能Ea1-Ev=0.045eV，铟的电离能Ea2-Ev=0.16eV，求样品中铟的浓度。Nv=1.04×1019/cm3，μp=200cm2/v˙s。
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