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略
相似试题
有一半导体硅样品，施主浓度为ND=2×1014/cm3，受主浓度为NA=1×1014/cm3，已知施主电离能为ΔE0=0.05eV，试求：99%的施主杂质电离时的温度。
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室温下，施主浓度为1.0×1016cm-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.30eV，Si的电子亲和能为4.05eV。已知，Nc=1019cm-3，k0T=0.026eV，ln1000=6.9。
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室温下，施主浓度为1.0×1016cm-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.30eV，Si的电子亲和能为4.05eV。已知，Nc=1019cm-3，k0T=0.026eV，ln1000=6.9。
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室温下，施主浓度为1.0×1016cm-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.30eV，Si的电子亲和能为4.05eV。已知，Nc=1019cm-3，k0T=0.026eV，ln1000=6.9。
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室温下，施主浓度为1.0×1016cm-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.30eV，Si的电子亲和能为4.05eV。已知，Nc=1019cm-3，k0T=0.026eV，ln1000=6.9。
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将Si掺杂入GaAs中，Si取代Ga则起施主杂质作用，若Si取代As则起受主杂质作用。
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77K时，锗的电子浓度为1017cm-3，假定受主浓度为零，而Ec-ED=0.01eV，求锗中施主浓度ND为多少？
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SiO2-Si界面的杂质分凝：（）过程中，（）在两种材料中重新分布，（）吸引受主杂质（B）、排斥施主杂质（P、As）。
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计算含有施主杂质浓度为ND=9×1015cm-3，及受主杂质浓度为1.1×1016cm3，的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
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