室温下,本征锗的电阻率为47Ω·cm,试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质,使每106个锗原子中有一个杂质原子,计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×1022cm-3,试求该掺杂锗材料的电阻率。设μn=3600cm2/V·s, 且认为不随掺杂而变化。ni=2.5×1013cm3。
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Si样品中的施主浓度为4.5×1016cm-3,试计算300K时的电子浓度和空穴浓度各为多少?
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计算含有施主杂质浓度为ND=9×1015cm-3,及受主杂质浓度为1.1×1016cm3,的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
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室温下,施主浓度为1.0×1016cm-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触,Al的功函数为4.30eV,Si的电子亲和能为4.05eV。已知,Nc=1019cm-3,k0T=0.026eV,ln1000=6.9。
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室温下,施主浓度为1.0×1016cm-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触,Al的功函数为4.30eV,Si的电子亲和能为4.05eV。已知,Nc=1019cm-3,k0T=0.026eV,ln1000=6.9。
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室温下,施主浓度为1.0×1016cm-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触,Al的功函数为4.30eV,Si的电子亲和能为4.05eV。已知,Nc=1019cm-3,k0T=0.026eV,ln1000=6.9。
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室温下,施主浓度为1.0×1016cm-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触,Al的功函数为4.30eV,Si的电子亲和能为4.05eV。已知,Nc=1019cm-3,k0T=0.026eV,ln1000=6.9。
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在室温下,高纯锗的电子迁移率μn=3900cm2/v˙s,设电子的有效质量为mn=3×10-29g,求: (1)热运动速度平均值 (2)平均自由时间 (3)平均自由路程 (4)在外加电场为10/Vcm时的漂移速度
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已知乙醇和苯的密度分别为0.800g·cm-3和0.900g·cm-3,若将86.3cm3乙醇和 901cm3苯互溶,则此溶液中乙醇的质量摩尔浓度为()
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