在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。
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在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。
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在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。
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光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。
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光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。
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有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。
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由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。
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光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。
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光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（）。
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