鼓泡式蚀刻和浸泡式蚀刻的不同之处在于（）。

浸泡式蚀刻通常使用添加了过硫酸盐或过氧化氢的硫酸作为蚀刻液。

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鼓泡式反应器是（）的酶催化反应中常用的一种反应器。

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一般在蚀刻操作中蚀刻和再生是同时进行的。

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酸性氯化铜蚀刻液用于蚀刻单面板和多层板的内层。

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晶体硅片蚀刻清洗的生产工艺有酸性蚀刻和碱性蚀刻两种，其中酸性蚀刻是采用（）和硝酸的混合溶液，醋酸和磷酸当缓冲剂，一般去除约10-20μm厚的表面层。

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侧蚀程度的大小与蚀刻液的种类、组成和所使用的蚀刻工艺及设备有关。

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湿法蚀刻时蚀刻液的腐蚀是各向同性的，腐蚀发生在和溶液接触的各个方面。

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多晶硅表面的结晶面是多重的，因此不能像单晶硅基片那样，使用（）的不同方向腐蚀的化学蚀刻方法。

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喷淋蚀刻的传送方式有（）和垂直传送方式。

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