发光二极管辐射光的峰值波长与材料的禁带宽度Eg无关。
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为了实现光电转换效率高的太阳能电池,太阳光谱的整合是必要的,太阳能电池材料的禁带宽度Eg为()左右,认为是最合适的,Eg为()的GaAS及1.35ev的InP等应该是合适的。
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为了使电子从价带激发到导带,入射光子的能量E0应该大于禁带宽度Eg。
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常温下本征半导体硅的禁带宽度为()eV。
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磷化镓的禁带宽度Eg=2.26eV,相对介电常数εr=11.1,空穴的有效质量mp*=0.86m0,m0为电子的惯性质量,求 ①受主杂质电离能; ②受主束缚的空穴的基态轨道半径。
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锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV,相对介电常数εr=17,电子的有效质量mn*=0.015m0, m0为电子的惯性质量,求 ①施主杂质的电离能 ②施主的弱束缚电子基态轨道半径。
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锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV,相对介电常数εr=17,电子的有效质量m*n=0.015m0,m0为电子的惯性质量,求 ①施主杂质的电离能, ②施主的弱束缚电子基态轨道半径。
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材料的禁带宽度,最大的是()
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已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4μm,则该材料的禁带宽度为()。
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