扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。

在空位扩散中，如果迁移的空位的原子是杂质原子，扩散称为（）。

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下列扩散杂质源中，（）不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。

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危害半导体工艺的典型金属杂质是（）。

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在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。

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扩散工艺现在广泛应用于制作（）。

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在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。

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在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。

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在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。

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扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。

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