在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。

在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。

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在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。

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在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。

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在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。

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在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。

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He，OH，Na等元素在900℃下，在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s，这些元素称为（）。

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扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。

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通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个步骤是（）。

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扩散工艺现在广泛应用于制作（）。

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