A晶振
B电容
C电感
DPN结
扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺,现在主要被用来制作()。
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扩散炉中的管道一般都是用()制作。
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在热扩散工艺中的预淀积步骤中,磷的扩散温度为()。
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在热扩散工艺中的预淀积步骤中,砷和锑的扩散温度为()。
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在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在900~1050℃的条件下,扩散时间大约()为宜。
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在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在950~1100℃的条件下,扩散时间大约()为宜。
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扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散,改变了晶片(),所以晶片才能被人们所使用。
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()方法是大规模集成电路生产中用来沉积不同金属的应用最为广泛的技术。
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在半导体工艺中,与氮化硅比较,二氧化硅更适合应用在()。
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