A禁带变宽
B少子迁移率增大
C多子浓度减小
D简并化
掺杂半导体与本征半导体之间有何差异?试举例说明掺杂对半导体的导电性能的影响。
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发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时,不但不能提高(),反而会使其()。造成发射区重掺杂效应的原因是()和()。
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在本征半导体中进行有意掺杂各种元素,可改变材料的电学性能。请解释什么是浅能级杂质、深能级杂质,它们分别影响半导体哪些主要性质;什么是杂质补偿?杂质补偿的意义何在?
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什么是半导体的共掺杂?
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硼是VA族元素,其掺杂形成的半导体是P型半导体。
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P是VA族元素,其掺杂形成的半导体是P型半导体。
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杂质对半导体特性的影响是什么。助催化剂的作用原理是什么?
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通风设计如果不考虑风量平衡和热平衡,会出现什么现象?
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以下掺杂半导体中属于n型的是()
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