AIn掺杂的Ge
BAs掺杂的Ge
CInSb中,Si占据Sb的位置
DGaN中,Mg占据Ga的位置
对于一定的n型半导体材料,温度一定时,减少掺杂浓度,将导致()靠近Ei
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对于N型半导体来说,以下说法正确的是()
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杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的,少数载流子是由()产生的。
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掺杂半导体与本征半导体之间有何差异?试举例说明掺杂对半导体的导电性能的影响。
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什么是半导体的共掺杂?
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在本征半导体中进行有意掺杂各种元素,可改变材料的电学性能。请解释什么是浅能级杂质、深能级杂质,它们分别影响半导体哪些主要性质;什么是杂质补偿?杂质补偿的意义何在?
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硼是VA族元素,其掺杂形成的半导体是P型半导体。
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P是VA族元素,其掺杂形成的半导体是P型半导体。
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如果对半导体进行重掺杂,会出现的现象是()
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