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略
相似试题
在本征半导体中进行有意掺杂各种元素，可改变材料的电学性能。请解释什么是浅能级杂质、深能级杂质，它们分别影响半导体哪些主要性质；什么是杂质补偿？杂质补偿的意义何在？
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硼是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。
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P是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。
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如果对半导体进行重掺杂，会出现的现象是（）
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掺杂半导体与本征半导体之间有何差异？试举例说明掺杂对半导体的导电性能的影响。
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以下掺杂半导体中属于n型的是（）
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对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei
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杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由（）产生的。
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扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
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