PN结加反向电压，耗尽层将变薄。

PN结加正向电压时，空间电荷区将（）。

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在正常使用条件下，晶体管的发射结加正向小电压，称为（）偏置，集电结加反向大电压，称为反向偏置。

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当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。

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对于一个PN结，如果反偏电压降低，耗尽区宽度将减小。

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简述PN结反向电压—电流特性；反向饱和电流及方向；PN结的电压—电流特性。

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PN结具有单向导电性，可通过在PN结两端加正向或反向电压来证实。（）

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反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为pn结击穿，主要的击穿机理有两种：（）击穿和（）击穿。

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PN结正向偏置时，空间电荷区将变（）。

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基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将（）全部占据时，集电极电流急剧增大的现象。防止基区穿通的措施是（）基区宽度、（）基区掺杂浓度。

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