半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂()加速到的需要的(),直接注入到半导体晶片中,并经适当温度的()。
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离子注入层的深度主要取决于离子注入的()。
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离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。
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离子注入是借其()强行进入靶材料中的一个()物理过程。
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离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是()和()。
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什么是离子注入中常发生的沟道效应(Channeling)和临界角?怎样避免沟道效应?
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什么是离子注入的横向效应?同等能量注入时,As和B哪种横向效应更大?为什么?
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下图为一个典型的离子注入系统。(1)给出1~6数字标识部分的名称,简述其作用。(2)阐述部件2的工作原理。
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低温淀积二氧化硅生长温度低、制作方便,但膜不够致密,耐潮性和抗离子沾污能力较差。()
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