CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
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溅射法是由（）轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。
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二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。
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热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？
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有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？
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热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
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二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。
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物理气相淀积最基本的两种方法是什么？简述这两种方法制备薄膜的过程。
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杂质原子的扩散方式有哪几种？它们各自发生的条件是什么？从原子扩散的角度举例说明氧化增强扩散和氧化阻滞扩散的机理。
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