锗二极管的死区电压为（）V，导通电压为（）V

硅二极管的死区电压为（）V，导通电压为（）V

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锗二极管的正向导通电压为（）。

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二极（锗）管的死区电压为（）。

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硅材料二极管的死区电压为0.3V。

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锗管的正偏导通电压为（）伏左右。

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当二极管外加的正向电压超过死区电压时，电流随电压增加而迅速（）。

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锗材料，低频小功率三极管的型号为（）。

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锗低频小功率三极管型号为（）

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对放大电路中的三极管测量，各级对地电压为UB=2.7V，UE=2V，UC=6V则该管是（）

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