判断题
A对
B错
正确答案
答案解析
略
相似试题
硅二极管的死区电压为（）V，导通电压为（）V
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锗二极管的死区电压为（）V，导通电压为（）V
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二极（锗）管的死区电压为（）。
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OTL电路如图4所示，输入ui为正弦波，设V1激励级电压放大倍数为10， 输出级电压放大倍数近似为1（忽略V2、V3管饱和压降）。 （1）指出电容C3的作用； （2）指出二极管V4、V5的作用； （3）求电路的最大输出功率Pom； （4）当输入电压有效值为0.3V时，求电路的输出功率PO
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一个硅二极管反向击穿电压为150伏，则其最高反向工作电压为（）。
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当二极管外加的正向电压超过死区电压时，电流随电压增加而迅速（）。
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把电动势为1.5V的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管（）。
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晶体管工作在放大状态时，发射结反偏，对于硅管约为0.7v，锗管约为0.3v。
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晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（），锗管约为0.3V。
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