锗二极管的死区电压为（）V，导通电压为（）V
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硅材料二极管的死区电压为0.3V。
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硅二极管的死区电压为（）V，导通电压为（）V
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当二极管外加的正向电压超过死区电压时，电流随电压增加而迅速（）。
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锗二极管的正向导通电压为（）。
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稳压二极管的动态电阻是指稳压管的稳定电压与额定工作电流之比。
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测二极管正向电阻时，若指针在标度尺的（）左右，为锗二极管。
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一个硅二极管反向击穿电压为150伏，则其最高反向工作电压为（）。
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稳压管的符号和普通二极管的符号是相同的。
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