单选题

下列关于曝光后烘烤的说法正确的是()。

A烘烤的目的是除去光刻胶中的水分

B烘烤可以减轻曝光中的驻波效应

C烘烤的温度一般在300℃左右

D烘烤的时间越长越好

正确答案

来源:www.examk.com

答案解析

相似试题
  • 下列有关曝光系统的说法正确的是()。

    多选题查看答案

  • 关于正胶和负胶的特点,下列说法正确的是()。

    多选题查看答案

  • 关于正胶和负胶在显影时的特点,下列说法正确的是()。

    多选题查看答案

  • 下列有关ARC工艺的说法正确的是()。

    多选题查看答案

  • 有关光刻胶的显影下列说法错误的是()。

    多选题查看答案

  • 按曝光的光源分类,曝光可以分为()。

    多选题查看答案

  • 涂胶以后的晶片,需要在一定的温度下进行烘烤,这一步骤称为()。

    单选题查看答案

  • 在深紫外曝光中,需要使用()光刻胶。

    单选题查看答案

  • 在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,它的优点在于()。

    多选题查看答案