AARC可以是硅的氮化物
B可用干法刻蚀除去
CARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成
DARC在刻蚀中也可做为掩蔽层
EARC膜也可以通过CVD的方法形成
下列有关曝光系统的说法正确的是（）。
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有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。
下列关于曝光后烘烤的说法正确的是（）。
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关于正胶和负胶的特点，下列说法正确的是（）。
关于正胶和负胶在显影时的特点，下列说法正确的是（）。
涂胶之前，要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行，下列操作正确的是（）。
什么是工艺？电子工艺学的研究领域是哪些？
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光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。
光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（）。
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