扩散率越大，杂质在硅片中的移动速度就越大。

在力偶中的力越大，力偶臂越大，力偶矩就越小。

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溶质与超临界流体间的（）越大，增强因子也就越大，溶质在超临界流体中的溶解度也就越大。

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有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。

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一般来说，物料的组织越致密，水分由内部向外部扩散的阻力就越大，这样临界含水率值也就（）。

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在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。

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双作用筒式减振器可以说是速度敏感型的液压减振装置，运动越快，所产生的阻尼力就越大。

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光学变焦是依光学镜头结构来实现变焦，就是通过镜片移动来放大与缩小需要拍摄的景物，光学变焦倍数越大，能拍摄的景物就越远。

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虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。

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同种石料其空隙率越大，真实密度越小。

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