在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。

给出硅片制造中光刻胶的两种目的。

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集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。简而言之，这些操作可以分为四大基本类：薄膜制作、刻印、刻蚀和掺杂。

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在半导体制造业中，最早的互连金属是（），在硅片制造业中最普通的互连金属是（），即将取代它的金属材料是（）。

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在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。

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芯片硅片制造厂可以分为6个独立的生产区：扩散区、（）、刻蚀区、（）、（）和抛光区。

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气体扩散法是将含（）的气体在高温下向硅片进行扩散，形成（），一般都用这一方法。

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制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片，称为硅片或（）。在硅片制造厂，由硅片生产的半导体产品，又被称为（）或（）。

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列出热氧化物在硅片制造的4种用途（）、（）、场氧化层和（）。

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粉尘在空气中的含量即含尘浓度有两种表示方法，一种是（），另一种是颗粒浓度。

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