在温度相同的情况下,制备相同厚度的氧化层,分别用干氧,湿氧和水汽氧化,哪个需要的时间最长?()
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根据曝光方式的不同,光学光刻机可以分成几类?各有什么优缺点?
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单晶是原子或离子沿着三个不同的方向按一定的周期有规则的排列,并沿一致的晶体学取向所堆垛起来的远程有序的晶体。()
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浸没式光刻机相对于传统的光刻机有何不同。
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晶体的特点是在各不同晶向上的物理性能、机械性能、化学性能都相同。()
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一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆盖。所需数据见下表,玻尔兹曼常数k=1.38×10-23。(1)在1200℃下,采用H2O氧化,使厚度增加0.5um需要多少时间?。(2)在1200℃下,采用干氧氧化,增加同样的厚度需要多少时间?
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按蒸发源加热方法的不同,真空蒸发工艺可分为:()蒸发、()蒸发、离子束蒸发等。
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将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触,再用紫外光照射来进行曝光的方法,称为()曝光。
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杂质原子的扩散方式有哪几种?它们各自发生的条件是什么?从原子扩散的角度举例说明氧化增强扩散和氧化阻滞扩散的机理。
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