一片硅片由0.3um厚的SiO₂薄膜覆盖。所需数据见下表，玻尔兹曼常数k=1.38×10-23。（1）在1200℃下，采用H₂O氧化，使厚度增加0.5um需要多少时间？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同样的厚度需要多少时间？

简述常规热氧化办法制备SiO2介质薄膜的动力学过程，并说明在什么情况下氧化过程由反应控制或扩散控制。

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对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。

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化学清洗中是利用硝酸的强（）和强（）将吸附在硅片表面的杂质除去。

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简述BOE（或BHF）刻蚀SiO2的原理。

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简述杂质在SiO2的存在形式及如何调节SiO2的物理性质。

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硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。砷化镓片用（）系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。

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说明SiO2的结构和性质，并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。

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影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些？

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简述外延薄膜的生长过程，其最显著的特征是什么？

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