（）专指薄膜形成的过程中，并不消耗晶片或底材的材质。
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在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。
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在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。
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（）是以物理的方法来进行薄膜沉积的一种技术。
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（）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。
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薄膜沉积的机构包括那些步骤（）。
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二氧化硅薄膜厚度的测量方法有（）。
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（）主要是以化学反应方式来进行薄膜沉积的。
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下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。
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