（）是因为吸附原子在晶片表面上彼此碰撞并结合所形成的。

硅晶片上之所以可以产生薄膜，出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子，它们主要是通过（）到达晶片表面的。

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晶片表面上的粒子是通过（）到达晶片的表面。

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决定吸附原子彼此间能否形成一个稳定的核团，以便于进行凝结的主要因素主宰于所形成的核团是否（）而定。

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在直流二极管辉光放电系统的玻璃管中，自由电子在碰撞氩原子之前可运动的平均距离又叫（）。

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在新一代的CMP中，有使用（）磨料在金属表面上形成软质皮膜并加以去除的趋势。

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用高能粒子从某种物质的表面撞击出原子的物理过程叫（）。

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涂胶以后的晶片，需要在一定的温度下进行烘烤，这一步骤称为（）。

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由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

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离子源的作用是使所需要的杂质原子电离成（）离子，并通过一个引出系统形成离子束。

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