硅晶片上之所以可以产生薄膜，出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子，它们主要是通过（）到达晶片表面的。

由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

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（）专指薄膜形成的过程中，并不消耗晶片或底材的材质。

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扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。

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（）是因为吸附原子在晶片表面上彼此碰撞并结合所形成的。

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晶片表面上的粒子是通过（）到达晶片的表面。

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涂胶以后的晶片，需要在一定的温度下进行烘烤，这一步骤称为（）。

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薄膜沉积的机构，依发生的顺序，可以分为这几个步骤。其中不包括（）。

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刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。

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晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。

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