简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。

如果假设硅中的杂质分布是均匀的，而且氧化气氛中又不含有任何杂质，则再分布有四种可能。①分凝系数m＜l，且在SiO₂中是慢扩散的杂质，也就是说在分凝过程中杂质通过SiO₂表面损失的很少，硼就是属于这类。再分布之后靠近界面处的SiO₂中的杂质浓度比硅中高，硅表面附近的浓度下降。②m＜1，且在SiO₂中是快扩散的杂质。因为大量的杂质通过SiO₂表面跑到气体中去，杂质损失非常厉害，使SiO₂中的杂质浓度比较低，但又要保证界面两边的杂质浓度比小于1，使硅表面的杂质浓度几乎降到零，在H₂气氛中的硼就属于这种情况。③m＞1，且在SiO₂中慢扩散的杂质。再分布之后硅表面附近的杂质浓度升高，磷就属于这种杂质。④m＞l，且在SiO₂中快扩散的杂质。在这种情况下，虽然分凝系数大于1，但因大量杂质通过SiO₂表面进入气体中而损失，硅中杂质只能不断地进入SiO₂中，才能保持界面两边杂质浓度比等于分凝系数，最终使硅表面附近的杂质浓度比体内还要低，镓就是属于这种类型的杂质。对于m＝1，而且也没有杂质从SiO₂表面逸散的情况，热氧化过程也同样使硅表面杂质浓度降低。这是因为一个体积的硅经过热氧化之后转变为两个多体积的SiO₂，由此，要使界面两边具有相等的杂质浓度（m＝1），那么杂质必定要从高浓度硅中向低浓度SiO₂中扩散，即硅中要消耗一定数量的杂质，以补偿增加的SiO₂体积所需要的杂质。

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